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氣相沉積法是指將兩種以上的氣態(tài)原材料導入到一個反應(yīng)器中,使原料相互之間發(fā)生碰撞并發(fā)生化學反應(yīng),從而制備一種新的材料,再將其沉積到基體表面上。氣相沉積法優(yōu)點是反應(yīng)速度快、沉積均勻等特性使之應(yīng)用越來越普遍,單壁碳納米管,常常用來制備核殼材料。研究者利用氣化后的氧化硅與氧化碳反應(yīng)生成β-碳化硅,然后將其均勻沉積在碳納米管表面,碳納米管,且包覆均勻完整,碳納米管增強料,對碳納米管實現(xiàn)表面功能化修飾。
碳納米管在促進電子學的發(fā)展時面臨著兩個主要障礙,一是如何將碳納米管放置在合適的位置,二是如何將半導體和金屬性質(zhì)的碳納米管分開。我們并不清楚這些問題的解決是否會使碳納米管成為電子學在后硅時代的方向。但是盡管這些問題沒有成熟的解決方案,研究者們還是提出了一些想法。而另一個問題就不是這樣:如何得到均勻的電阻測量值。
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