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光刻膠工藝
主要用于半導(dǎo)體圖形化工藝,是半導(dǎo)體制造過程中的重要步驟。光刻工藝?yán)没瘜W(xué)反應(yīng)原理把事先制備在掩模上的圖形轉(zhuǎn)印到晶圓,完成工藝的設(shè)備光刻機(jī)和光刻膠都是占半導(dǎo)體芯片工廠資產(chǎn)的大頭。
在目前比較主流的半導(dǎo)體制造工藝中,一般需要40 步以上獨(dú)立的光刻步驟,貫穿了半導(dǎo)體制造的整個(gè)流程,光刻工藝的先進(jìn)程度決定了半導(dǎo)體制造工藝的先進(jìn)程度。光刻過程中所用到的光刻機(jī)是半導(dǎo)體制造中的核心設(shè)備。目前,ASML 的NXE3400B售價(jià)在一億歐元以上,媲美一架F35 戰(zhàn)斗機(jī)。
按曝光波長(zhǎng),光刻膠可分為紫外(300~450 nm)光刻膠、深紫外(160~280 nm)光刻膠、極紫外(EUV,13.5 nm)光刻膠、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。按照應(yīng)用領(lǐng)域的不同,光刻膠又可以分為印刷電路板(PCB)用光刻膠、液晶顯示(LCD)用光刻膠、半導(dǎo)體用光刻膠和其他用途光刻膠。PCB光刻膠技術(shù)壁壘相對(duì)其他兩類較低,而半導(dǎo)體光刻膠代表著光刻膠技術(shù)先進(jìn)水平。
光刻膠的作用
光刻開始于-種稱作光刻膠的感光性液體的應(yīng)用。 圖形能被映射到光刻膠上,然后用一個(gè)developer就能做出需 要的模板圖案。光刻膠又稱光致抗蝕劑,是以智能
管感光材料,在光的照射與溶解度發(fā)生變化。
光刻膠成份
光刻膠通常有三種成分:感光化臺(tái)物、基體材料和溶劑。在感光化臺(tái)物中有時(shí)還包括增感劑。根據(jù)光刻膠按照如何響應(yīng)紫外光的特性可以分為兩類:負(fù)性光刻膠和
正性光刻膠。
1、負(fù)性光刻膠
主要有聚酸系(聚酯膠)和環(huán)化橡膠系兩大類
2、正性光刻膠
主要以重氮醒為感光化臺(tái)物,以酚醛樹脂為基體材料。正膠的主要優(yōu)點(diǎn)是分辨率高,缺點(diǎn)是靈敏度、耐刻蝕性和附著性等較差。
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光刻膠
在曝光過程中,正性膠通過感光化學(xué)反應(yīng),切斷樹脂聚合體主鏈和從鏈之間的聯(lián)系,達(dá)到削弱聚合體的目的,所以曝光后的光刻膠在隨后顯影處理中溶解度升高。曝光后的光刻膠溶解速度幾乎是未曝光的光刻膠溶解速度的10倍。而負(fù)性膠,在感光反應(yīng)過程中主鏈的隨機(jī)十字鏈接更為緊密,并且從鏈下墜物增長(zhǎng),所以聚合體的溶解度降低。見正性膠在曝光區(qū)間顯影,負(fù)性膠則相反。負(fù)性膠由于曝光區(qū)間得到保留,漫射形成的輪廓使顯影后的圖像為上寬下窄的圖像,而正性膠相反,為下寬上窄的圖像。
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