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脈沖激光沉積介紹
脈沖激光沉積也被稱為脈沖激光燒蝕(pulsed laser ablation,PLA),是一種利用激光對物體進(jìn)行轟擊,然后將轟擊出來的物質(zhì)沉淀在不同的襯底上,得到沉淀或者薄膜的一種手段。
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脈沖激光沉積,是一種用途廣泛的薄膜沉積技術(shù)。如需了解更多脈沖激光沉積的相關(guān)信息,歡迎關(guān)注沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司網(wǎng)站或撥打圖片上的熱點(diǎn)電話,我司會為您提供專業(yè)、周到的服務(wù)。脈沖激光快速蒸發(fā)靶材,生成與靶材組成相同的薄膜。PLD 的獨(dú)特之處是能量源(脈沖激光)位于真空室的外面。這樣,在材料合成時(shí),工作壓力的動態(tài)范圍很寬,達(dá)到10-10 Torr ~ 100 Torr。通過控制鍍膜壓力和溫度,可以合成一系列具有獨(dú)特功能的納米結(jié)構(gòu)和納米顆粒。
另外,PLD 是一種“數(shù)字”技術(shù),在納米尺度上進(jìn)行工藝控制(A°/pulse)。
沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司以誠信為首 ,服務(wù)至上為宗旨。公司生產(chǎn)、銷售脈沖激光沉積,公司擁有強(qiáng)大的銷售團(tuán)隊(duì)和經(jīng)營理念。想要了解更多信息,趕快撥打圖片上的熱線電話!
脈沖激光沉積選件介紹
激光分子束外延(Laser MBE )
激光MBE 是普遍采用的術(shù)語,該法是一種納米尺度薄膜合成的理想方法,高真空下的PLD 與在線工藝監(jiān)測的反射高能電子衍射(RHEED)的聯(lián)合應(yīng)用,用戶提供了類似于MBE 的薄膜生長的單分子水平控制。
正確的設(shè)計(jì)是成功使用RHEED 和PLD 的重要因數(shù)
RHEED 通常在高真空(<10-6 torr)環(huán)境下使用。然而,因?yàn)樵谀承┨厥馇闆r下,PLD 采用較高的壓力,差動抽氣是必要的,
維持RHEED 槍的工作壓力,同時(shí)保持500 mTorr 的PLD 工藝壓力。同時(shí),設(shè)計(jì)完整的系統(tǒng)消除磁場對電子束的影響是至關(guān)重要的。Neocera 的激光MBE 系統(tǒng)可以為用戶提供在壓力達(dá)到500 mTorr 時(shí)所需的單分子層控制。
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